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STP100N10F7  与  FDP3632  区别

型号 STP100N10F7 FDP3632
唯样编号 A-STP100N10F7 A32-FDP3632
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N CH 100V 80A TO-220 Single N-Channel 100 V 310 W 110 nC PowerTrench Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 310W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9 毫欧 @ 80A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 310W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 12A(Ta),80A(Tc)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6000pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 25
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥6.6764
25+ :  ¥6.1819
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP100N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 当前型号
IRFB4410ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IRFB4310ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
FDP3632 ON Semiconductor 通用MOSFET

310W(Tc) 9m Ohms@80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB 12A N-Channel 100V 12A(Ta),80A(Tc) ±20V 9 毫欧 @ 80A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-220-3

¥6.6764 

阶梯数 价格
1: ¥6.6764
25: ¥6.1819
25 对比
AOT418L_001 AOS  数据手册 功率MOSFET

9.5A(Ta),105A(Tc) N-Channel ±25V 10 mΩ @ 20A,10V TO-220 2.1W(Ta),333W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比
AOT2918L AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V 7mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 90A TO220 267W

暂无价格 0 对比

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