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STN4NF03L  与  IRLL2703TRPBF  区别

型号 STN4NF03L IRLL2703TRPBF
唯样编号 A-STN4NF03L A-IRLL2703TRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 Single N-Channel 30 V 2.1 W 9.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 45mΩ@3.9A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1W(Ta)
栅极电压Vgs - ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-223-4 SOT-223
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 5.5A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 530pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 530pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STN4NF03L STMicro  数据手册 功率MOSFET

SOT-223-4

暂无价格 0 当前型号
IRLL3303TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 31mΩ@4.6A,10V N-Channel 30V 6.5A SOT-223

暂无价格 0 对比
IRLL2703TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 45mΩ@3.9A,10V N-Channel 30V 5.5A SOT-223

暂无价格 0 对比
IRLL3303PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) 31mΩ@4.6A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 30V 6.5A SOT-223

暂无价格 0 对比
IRLL2703 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 3.9A(Ta) ±16V 1W(Ta) 45mΩ@3.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT223

暂无价格 0 对比
IRLL2703PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-261-4,TO-261AA -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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