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STN3NF06  与  IRFL024ZTRPBF  区别

型号 STN3NF06 IRFL024ZTRPBF
唯样编号 A-STN3NF06 A-IRFL024ZTRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 60 V 0.1 Ohm STripFET II Power MosFet SMT - SOT-223 N-Channel 55 V 2.8 W 9.1 nC Surface Mount HEXFET Power Mosfet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 57.5mΩ@3.1A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 1W(Ta)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 5.1A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 340pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STN3NF06 STMicro  数据手册 MOSFET

SOT-223

暂无价格 0 当前型号
NDT3055 ON Semiconductor 通用MOSFET

4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C ~ 150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V SOT-223 增强 6.7*3.7*1.7mm 250 pF @ 30 V

¥1.925 

阶梯数 价格
30: ¥1.925
100: ¥1.54
1,000: ¥1.375
2,000: ¥1.298
4,000: ¥1.232
8,461 对比
ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 3.8A(Ta)

¥2.464 

阶梯数 价格
30: ¥2.464
50: ¥1.892
1,000: ¥1.749
3,112 对比
IRLL014NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223

暂无价格 2,500 对比
IRFL024ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta) 57.5mΩ@3.1A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 5.1A 55V SOT-223

暂无价格 2,500 对比
NTF3055-100T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

±20V 110 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 3A

¥2.607 

阶梯数 价格
20: ¥2.607
50: ¥2.013
223 对比

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