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STGW80H65DFB  与  IRGP4066DPBF  区别

型号 STGW80H65DFB IRGP4066DPBF
唯样编号 A-STGW80H65DFB A-IRGP4066DPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 HB Series 650 V 80 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247 IRGP4066DPBF Series 600 V 70 A N-Channel Ultrafast IGBT - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
25°C时Td(开/关)值 - 50ns/200ns
电流-集电极(Ic)(最大值) - 140A
功率 - 454W
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 225A
反向恢复时间(trr) - 155ns
输入类型 - 标准
IGBT 类型 - 沟道
IGBT类型 - 沟道
电压-集射极击穿(最大值) - 600V
脉冲电流-集电极(Icm) - 225A
电压 - 集射极击穿(最大值) - 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 140A
封装/外壳 TO-247S TO-247AC
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 2.1V @ 15V,75A
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 - 2.47mJ(开),2.16mJ(关)
不同 Vge,Ic时的 Vce(on) - 2.1V @ 15V,75A
测试条件 - 400V,75A,10 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值 - 50ns/200ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGW80H65DFB STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247S

暂无价格 0 当前型号
IRGP4066DPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 175°C(TJ) 454W TO-247AC

暂无价格 0 对比
IRGP6690DPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-40°C ~ 175°C(TJ) 483W 15.87*5.31*20.7mm

暂无价格 0 对比
IRGP4266DPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-40°C ~ 175°C(TJ) 455W 15.87*5.31*20.7mm

暂无价格 0 对比
IRGP4066D-EPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 175°C(TJ) 454W 15.87*5.13*20.7mm

暂无价格 0 对比

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