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STGW80H65DFB  与  IRGP4066D-EPBF  区别

型号 STGW80H65DFB IRGP4066D-EPBF
唯样编号 A-STGW80H65DFB A-IRGP4066D-EPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 HB Series 650 V 80 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247 Infineon IRGP4066D-EPBF N沟道 IGBT, 140 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 454W
宽度 - 5.13mm
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 225A
反向恢复时间(trr) - 155ns
输入类型 - 标准
IGBT 类型 - 沟道
开关速度 - 30kHz
晶体管配置 -
引脚数目 - 3
最大连续集电极电流 - 140 A
电压 - 集射极击穿(最大值) - 600V
栅极电压Vgs - ±20V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 140A
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247S 15.87*5.13*20.7mm
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 2.1V @ 15V,75A
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 - 2.47mJ(开),2.16mJ(关)
长度 - 15.87mm
最大集电极-发射极电压 - 600 V
测试条件 - 400V,75A,10 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值 - 50ns/200ns
高度 - 20.7mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGW80H65DFB STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247S

暂无价格 0 当前型号
IRGP4066DPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 175°C(TJ) 454W TO-247AC

暂无价格 0 对比
IRGP6690DPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-40°C ~ 175°C(TJ) 483W 15.87*5.31*20.7mm

暂无价格 0 对比
IRGP4266DPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-40°C ~ 175°C(TJ) 455W 15.87*5.31*20.7mm

暂无价格 0 对比
IRGP4066D-EPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 175°C(TJ) 454W 15.87*5.13*20.7mm

暂无价格 0 对比

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