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STGW60V60DF  与  IKW50N60H3  区别

型号 STGW60V60DF IKW50N60H3
唯样编号 A-STGW60V60DF A-IKW50N60H3
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT 600V 80A 375W TO247
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
栅极—射极漏泄电流 - 100nA
功率 - 333W
宽度 - 5.31mm
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 200A
IGBT 类型 - 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) - 600V
集电极最大连续电流 Ic - 50A
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100A
栅极/发射极最大电压 - 20V
封装/外壳 TO-247-3 PG-TO247-3
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 2.3V @ 15V,50A
工作温度 - -40°C ~ 175°C(TJ)
配置 - Single
开关能量 - 2.36mJ
在25 C的连续集电极电流 - 100A
长度 - 15.87mm
测试条件 - 400V,50A,7 欧姆,15V
高度 - 20.7mm
反向恢复时间(trr) - 130ns
输入类型 - 标准
集电极—发射极最大电压 VCEO - 600V
系列 - HighSpeed3
25°C 时 Td(开/关)值 - 23ns/235ns
集电极—射极饱和电压 - 2.25V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGW60V60DF STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
IKW50N60H3 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IKW50N60H3FKSA1_-40°C ~ 175°C(TJ) PG-TO247-3 333W

暂无价格 0 对比
IRGP4660DPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 175°C(TJ) 330W 15.87*5.31*20.7mm

暂无价格 0 对比
IGW50N60T Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGW50N60TFKSA1_333W Tube -40°C ~ 175°C

暂无价格 0 对比
AOK50B60D1 AOS  数据手册 IGBT晶体管

312W -55°C ~ 150°C(TJ) TO-247

暂无价格 0 对比
IGW50N60H3 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGW50N60H3FKSA1_333W Tube -40°C ~ 175°C

暂无价格 0 对比

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