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STGW39NC60VD  与  IGW40N60H3  区别

型号 STGW39NC60VD IGW40N60H3
唯样编号 A-STGW39NC60VD A-IGW40N60H3
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT 600V 80A 250W TO247
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-247-3 Tube
栅极—射极漏泄电流 - 100nA
功率 - 306W
工作温度 - -40°C ~ 175°C
配置 - Single
系列 - HighSpeed3
在25 C的连续集电极电流 - 80A
集电极—射极饱和电压 - 1.95V
集电极—发射极最大电压 VCEO - 600V
栅极/发射极最大电压 - ±20V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGW39NC60VD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
IRG4PC50FDPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 150°C(TJ) 200W TO-247AC

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IGW40N60H3FKSA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGW40N60H3_TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ)

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IGW40N60H3 Infineon IGBT晶体管

IGW40N60H3FKSA1_306W Tube -40°C ~ 175°C

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IRGP4069DPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 175°C(TJ) 268W TO-247AC

暂无价格 0 对比

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