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STGW30NC60WD  与  AOK30B60D1  区别

型号 STGW30NC60WD AOK30B60D1
唯样编号 A-STGW30NC60WD A36-AOK30B60D1
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 功率MOSFET
描述 IGBT 600V 60A 200W TO247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 96A
反向恢复时间(trr) - 120ns
Pd-功率耗散(Max) - 208W
输入类型 - 标准
电压 - 集射极击穿(最大值) - 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 60A
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 2.4V @ 15V,26A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
开关能量 - 1.1mJ(开),240µJ(关)
测试条件 - 400V,30A,10 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值 - 20ns/58ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGW30NC60WD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
IKW30N60H3 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

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暂无价格 240 对比
IRGP30B60KD-EP Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 150°C(TJ) 304W TO-247AD

暂无价格 0 对比
AOK30B60D1 AOS  数据手册 功率MOSFET

208W -55°C~150°C(TJ) TO-247

暂无价格 0 对比
IKW30N60H3 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IKW30N60H3FKSA1_-40°C ~ 175°C(TJ) PG-TO247-3 187W

暂无价格 0 对比
IRG4PC40SPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 150°C(TJ) 160W TO-247AC

暂无价格 0 对比

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