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STGW30NC60KD  与  AUIRGP35B60PD-E  区别

型号 STGW30NC60KD AUIRGP35B60PD-E
唯样编号 A-STGW30NC60KD A-AUIRGP35B60PD-E
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 功率MOSFET
描述 IGBT 600V 60A 200W TO247 Infineon AUIRGP35B60PD-E N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 150kHz, 3引脚 TO-247AD封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.31mm
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 120A
产品特性 - 车规
IGBT 类型 - NPT
引脚数目 - 3
最大连续集电极电流 - 60 A
电压 - 集射极击穿(最大值) - 600V
栅极电压Vgs - ±20V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 60A
封装/外壳 TO-247-3 -
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 2.55V @ 15V,35A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
开关能量 - 220µJ(开),215µJ(关)
长度 - 15.87mm
最大集电极-发射极电压 - 600 V
测试条件 - 390V,22A,3.3 欧姆,15V
高度 - 20.7mm
反向恢复时间(trr) - 42ns
输入类型 - 标准
Pd-功率耗散(Max) - 308W
开关速度 - 150kHz
晶体管配置 -
FET类型 - N-Channel
25°C 时 Td(开/关)值 - 26ns/110ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGW30NC60KD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
IKW30N60H3 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IKW30N60H3FKSA1_-40°C ~ 175°C(TJ) PG-TO247-3 187W

暂无价格 240 对比
IRGP30B60KD-EP Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 150°C(TJ) 304W TO-247AD

暂无价格 0 对比
AUIRGP35B60PD-E Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) ±20V 308W N-Channel 车规

暂无价格 0 对比
IRG4PC40SPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 150°C(TJ) 160W TO-247AC

暂无价格 0 对比
AOK30B60D AOS  数据手册 IGBT晶体管

278W -55°C ~ 150°C(TJ) TO-247

暂无价格 0 对比

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