首页 > 商品目录 > > > > STGB10NC60KDT4代替型号比较

STGB10NC60KDT4  与  IRGS10B60KDTRRP  区别

型号 STGB10NC60KDT4 IRGS10B60KDTRRP
唯样编号 A-STGB10NC60KDT4 A-IRGS10B60KDTRRP
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT 600V 20A 65W D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 156W
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 44A
反向恢复时间(trr) - 90ns
输入类型 - 标准
IGBT 类型 - NPT
电压 - 集射极击穿(最大值) - 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 22A
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 2.2V @ 15V,10A
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
开关能量 - 140µJ(开),250µJ(关)
测试条件 - 400V,10A,47 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值 - 30ns/230ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGB10NC60KDT4 STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IGB10N60T Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGB10N60TATMA1_110W -40°C ~ 175°C

暂无价格 0 对比
IGB10N60TATMA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGB10N60T_TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRGS10B60KDTRRP Infineon  数据手册 IGBT晶体管

156W -55°C ~ 150°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售