STF9N80K5 与 R8006KNXC7G 区别
| 型号 | STF9N80K5 | R8006KNXC7G | ||||
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| 唯样编号 | A-STF9N80K5 | A-R8006KNXC7G | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A N-ch TO-220FP | HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 52W(Tc) | ||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 650 pF @ 100 V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-220FP | TO-220FM | ||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 4.5V @ 4mA | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 22 nC @ 10 V | ||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 900 毫欧 @ 3A,10V | ||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 6A(Ta) | ||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V | ||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 800 V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 50 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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STF9N80K5 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FP |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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IPA80R900P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 6A(Tc) ±20V 26W(Tc) 900mΩ@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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R8006KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150°C(TJ) TO-220FM |
￥42.8717
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870 | 对比 | ||||||||||||||||
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R8006KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150°C(TJ) TO-220FM |
￥31.3804
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50 | 对比 | ||||||||||||||||
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R8006KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150°C(TJ) TO-220FM |
￥42.8717
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44 | 对比 | ||||||||||||||||
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R8006KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150°C(TJ) TO-220FM |
暂无价格 | 40 | 对比 |
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