STF9N80K5 与 IPA80R900P7 区别
| 型号 | STF9N80K5 | IPA80R900P7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STF9N80K5 | A-IPA80R900P7 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A N-ch TO-220FP | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 900mΩ@2.2A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 800V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 26W(Tc) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | 350pF @ 500V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | 15nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220FP | PG-TO220-3 |
| 连续漏极电流Id | - | 6A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | CoolMOS™ P7 |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.5V @ 110µA |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STF9N80K5 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FP |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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IPA80R900P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 6A(Tc) ±20V 26W(Tc) 900mΩ@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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R8006KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150°C(TJ) TO-220FM |
￥42.8717
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870 | 对比 | ||||||||||||||||
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R8006KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150°C(TJ) TO-220FM |
￥31.3804
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50 | 对比 | ||||||||||||||||
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R8006KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150°C(TJ) TO-220FM |
￥42.8717
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44 | 对比 | ||||||||||||||||
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R8006KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150°C(TJ) TO-220FM |
暂无价格 | 40 | 对比 |
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