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STF35N60DM2  与  R6030ENX  区别

型号 STF35N60DM2 R6030ENX
唯样编号 A-STF35N60DM2 A3-R6030ENX
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V, 30A, 0.13 OHM, TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 130mΩ@14.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 40W(Tc)
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220FP TO-220FM
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 30A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2100pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 85nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 94
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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