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STF24N60M2  与  IPA60R199CPXKSA1  区别

型号 STF24N60M2 IPA60R199CPXKSA1
唯样编号 A-STF24N60M2 A-IPA60R199CPXKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 190 mO Flange Mount MDMesh II Plus Mosfet - TO-220FP MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 34W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ@9A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 30W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1520pF @ 100V
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220FP TO-220-3 整包
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 18A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 1.1mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 43nC @ 10V
系列 MDmesh™ II Plus -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1060pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 199 毫欧 @ 9.9A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 16A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

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阶梯数 价格
7: ¥8.195
10: ¥6.303
189 对比
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