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STF18N60DM2  与  R6011KNX  区别

型号 STF18N60DM2 R6011KNX
唯样编号 A-STF18N60DM2 A3-R6011KNX
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 390mΩ@3.8A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 53W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220FP TO-220-3
连续漏极电流Id - 11A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 740pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 10V
库存与单价
库存 0 512
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF18N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

暂无价格 0 当前型号
R6011KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

600V 11A(Tc) ±20V 53W(Tc) 390mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel

暂无价格 512 对比
R6011KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

600V 11A(Tc) ±20V 53W(Tc) 390mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel

¥11.9077 

阶梯数 价格
110: ¥11.9077
500: ¥7.5495
0 对比
R6013VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM

暂无价格 100 对比
R6013VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM

¥26.5529 

阶梯数 价格
6: ¥26.5529
10: ¥15.4948
30: ¥11.7097
40 对比
R6013VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM

暂无价格 0 对比

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