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STF13NM60N  与  SPA11N60C3  区别

型号 STF13NM60N SPA11N60C3
唯样编号 A-STF13NM60N A-SPA11N60C3
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.36 Ohm 27 nC 90 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 360mΩ@5.5A,10V 380mΩ
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 25W(Tc) 33W
Qg-栅极电荷 - 45nC
栅极电压Vgs ±25V 10V
正向跨导 - 最小值 - 8.3S
典型关闭延迟时间 - 44ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220FP -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 11A 11A
系列 MDmesh™ II CoolMOSC3
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 790pF @ 50V -
长度 - 10.65mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 10ns
高度 - 16.15mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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