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STF13N60M2  与  FCPF11N60F  区别

型号 STF13N60M2 FCPF11N60F
唯样编号 A-STF13N60M2 A-FCPF11N60F
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 36W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 380mΩ@5.5A,10V 380 毫欧 @ 5.5A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 25W(Tc) -
栅极电压Vgs ±25V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220FP TO-220F-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A 11A(Tc)
系列 MDmesh™ II Plus -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 580pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1490pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 52nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF13N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 25W(Tc) 380mΩ@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 11A

暂无价格 0 当前型号
IPA50R500CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA50R500CEXKSA2_TO-220 FullPAK 5.4A N-Channel 500V -55°C 2.5V,3.5V 500mΩ

暂无价格 500 对比
AOTF20N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 30V 20A 50W 370mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPA60R360P7S Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R360P7SXKSA1_TO-220-3 N-Channel 360mΩ@2.7A,10V 22W -40°C~150°C ±20V 600V 9A

暂无价格 0 对比
FCPF11N60F ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±30V 380 毫欧 @ 5.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3 整包 N-Channel 600V 11A(Tc) TO-220F-3

暂无价格 0 对比
FCPF11N60 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 11A TO-220F-3

暂无价格 0 对比

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