首页 > 商品目录 > > > > STF13N60M2代替型号比较

STF13N60M2  与  FCPF11N60  区别

型号 STF13N60M2 FCPF11N60
唯样编号 A-STF13N60M2 A-FCPF11N60
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 36 W 52 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220F
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 380mΩ@5.5A,10V -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 25W(Tc) -
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220FP TO-220F-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 11A 11A
系列 MDmesh™ II Plus -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 580pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF13N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 25W(Tc) 380mΩ@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 11A

暂无价格 0 当前型号
IPA50R500CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA50R500CEXKSA2_TO-220 FullPAK 5.4A N-Channel 500V -55°C 2.5V,3.5V 500mΩ

暂无价格 500 对比
AOTF20N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 30V 20A 50W 370mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPA60R360P7S Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R360P7SXKSA1_TO-220-3 N-Channel 360mΩ@2.7A,10V 22W -40°C~150°C ±20V 600V 9A

暂无价格 0 对比
FCPF11N60F ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±30V 380 毫欧 @ 5.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3 整包 N-Channel 600V 11A(Tc) TO-220F-3

暂无价格 0 对比
FCPF11N60 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 11A TO-220F-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售