STF12N65M5 与 R6009JNXC7G 区别
| 型号 | STF12N65M5 | R6009JNXC7G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STF12N65M5 | A3-R6009JNXC7G |
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FP | MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 53W(Tc) |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 645pF @ 100V |
| FET类型 | - | N 通道 |
| 封装/外壳 | TO-220FP-3 | TO-220FM |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 7V @ 1.38mA |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 585 毫欧 @ 4.5A,15V |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 15V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 9A(Tc) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 600V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 22nC @ 15V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 100 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STF12N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
R6009JNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||
|
|
R6009JNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM |
￥6.3723
|
35 | 对比 | ||||
|
AOTF18N65 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 650V 30V 18A 50W 390mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IPA80R450P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
800V 11A(Tc) ±20V 29W(Tc) 450mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
AOTF11S65L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 650V 11A(Tc) ±30V 399 毫欧 @ 5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3F |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
