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STF11N60M2-EP  与  R8010ANX  区别

型号 STF11N60M2-EP R8010ANX
唯样编号 A-STF11N60M2-EP A-R8010ANX
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 10.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 560mΩ
上升时间 - 54ns
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 40W
Qg-栅极电荷 - 62nC
栅极电压Vgs - 3V
典型关闭延迟时间 - 97ns
正向跨导 - 最小值 - 2.2S
封装/外壳 TO-220FP-3 TO-220-3
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 10A
系列 - R8010ANX
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
长度 - 15.4mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 25ns
典型接通延迟时间 - 43ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1750pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 62nC @ 10V
高度 - 4.8mm
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF11N60M2-EP STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 当前型号
R8010ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TO-220-3 10A 40W 560mΩ 800V 3V

暂无价格 165 对比
R8010ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TO-220-3 10A 40W 560mΩ 800V 3V

¥58.0502 

阶梯数 价格
3: ¥58.0502
10: ¥32.8102
50: ¥27.1374
100: ¥23.3619
125 对比
R8010ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TO-220-3 10A 40W 560mΩ 800V 3V

暂无价格 100 对比
AOTF12N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 30V 12A 50W 550mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPA60R520C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R520C6XKSA1_600V 8.1A 470mΩ 20V 29W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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