STF11N60DM2 与 R6009ENX 区别
| 型号 | STF11N60DM2 | R6009ENX | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STF11N60DM2 | A33-R6009ENX | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 535mΩ@2.8A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 40W(Tc) | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-220FP-3 | TO-220-3 | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 9A(Tc) | ||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 1mA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 430pF @ 25V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 23nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 55 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STF11N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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R6009ENX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 9A(Tc) ±20V 40W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||
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R6009ENX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 9A(Tc) ±20V 40W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
￥19.3339
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58 | 对比 | ||||||||
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R6009ENX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 9A(Tc) ±20V 40W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
￥5.5099
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55 | 对比 | ||||||||
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AOTF12N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 600V 30V 12A 50W 550mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SPA11N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
800V 11A 450mΩ 10V 34W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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