STF11N60DM2 与 SPA11N80C3 区别
| 型号 | STF11N60DM2 | SPA11N80C3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STF11N60DM2 | A-SPA11N80C3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.85mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 450mΩ |
| 上升时间 | - | 15ns |
| 漏源极电压Vds | - | 800V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 34W |
| Qg-栅极电荷 | - | 64nC |
| 栅极电压Vgs | - | 10V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 72ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220FP-3 | - |
| 连续漏极电流Id | - | 11A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | CoolMOSC3 |
| 长度 | - | 10.65mm |
| 下降时间 | - | 10ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 25ns |
| 高度 | - | 16.15mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STF11N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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R6009ENX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 9A(Tc) ±20V 40W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||
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R6009ENX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 9A(Tc) ±20V 40W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
￥19.3339
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58 | 对比 | ||||||||
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R6009ENX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 9A(Tc) ±20V 40W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
￥5.5099
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55 | 对比 | ||||||||
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AOTF12N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 600V 30V 12A 50W 550mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SPA11N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
800V 11A 450mΩ 10V 34W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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