STD9NM60N 与 R6007JND3TL1 区别
| 型号 | STD9NM60N | R6007JND3TL1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STD9NM60N | A3-R6007JND3TL1 |
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252-3 |
| 连续漏极电流Id | - | 7A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 96W(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| 栅极电荷Qg | - | 17.5nC@15V |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 780mOhms@3.5A,15V |
| 栅极电压Vgs | - | 7V@1mA |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 133 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STD9NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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R6007JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 600V |
¥12.6488
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1,490 | 对比 | ||||||||||||||
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R6007JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 600V |
暂无价格 | 133 | 对比 | ||||||||||||||
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FCD900N60Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 4.5A(Tc) ±20V 52W(Tc) 900mΩ@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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FCD900N60Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 4.5A(Tc) ±20V 52W(Tc) 900mΩ@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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AOD4S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 4A 56.8W 900mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |