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STD9N60M2  与  IPD60R600P6  区别

型号 STD9N60M2 IPD60R600P6
唯样编号 A-STD9N60M2 A-IPD60R600P6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 600Ω
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 63W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 PG-TO252-3
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 5.6A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSP6
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 557pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 10V
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD9N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
AOD7S65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 650V 30V 7A 89W 650mΩ@10V

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SPD04N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD04N60C3ATMA1_600V 4.5A 950mΩ 20V 50W N-Channel -55°C~150°C

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IPD60R600P6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600P6ATMA1_600V ±20V 63W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 5.6A 600Ω N-Channel PG-TO252-3

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IPD60R600E6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600E6ATMA1_-55°C~150°C(TJ) 7.3A 540mΩ 20V 63W N-Channel 600V

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TK6P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 6.2A(Ta)

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