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STD8N80K5  与  IPD80R900P7ATMA1  区别

型号 STD8N80K5 IPD80R900P7ATMA1
唯样编号 A-STD8N80K5 A-IPD80R900P7ATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N CH 800V 6A DPAK MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 45W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 350pF @ 500V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 110uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 900 毫欧 @ 2.2A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 800V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD8N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
DMJ7N70SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±30V 28W(Tc) 1.25Ω@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 3.9A

暂无价格 0 对比
IPD70R950CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R950CE_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
DMJ7N70SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±30V 28W(Tc) 1.25Ω@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 3.9A

暂无价格 0 对比
IPD80R900P7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R900P7_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
TK5P60W,RVQ Toshiba 功率MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 5.4A(Ta)

暂无价格 0 对比

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