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STD8N80K5  与  DMJ7N70SK3-13  区别

型号 STD8N80K5 DMJ7N70SK3-13
唯样编号 A-STD8N80K5 A-DMJ7N70SK3-13
制造商 STMicroelectronics Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N CH 800V 6A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.25Ω@2.5A,10V
漏源极电压Vds - 700V
Pd-功率耗散(Max) - 28W(Tc)
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 DPAK
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 3.9A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 351pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13.9nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD8N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
DMJ7N70SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±30V 28W(Tc) 1.25Ω@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 3.9A

暂无价格 0 对比
IPD70R950CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R950CE_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

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DMJ7N70SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±30V 28W(Tc) 1.25Ω@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 3.9A

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N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 5.4A(Ta)

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