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STD8N60DM2  与  R6009JND3TL1  区别

型号 STD8N60DM2 R6009JND3TL1
唯样编号 A-STD8N60DM2 A33-R6009JND3TL1-0
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 600 mOhm Surface Mount MDmesh™ DM2 Power Mosfet - DPAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 DPAK TO-252-3
连续漏极电流Id - 9A(Tc)
工作温度 - -55℃~150℃(TJ)
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 125W(Tc)
Vgs(最大值) - ±30V
栅极电荷Qg - 22nC@15V
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 585mOhms@4.5A,15V
栅极电压Vgs - 7V@1.38mA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥13.0417
50+ :  ¥8.5092
100+ :  ¥7.9439
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD8N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
R6009JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

¥13.0417 

阶梯数 价格
20: ¥13.0417
50: ¥8.5092
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100 对比
R6009JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

¥13.0417 

阶梯数 价格
20: ¥13.0417
50: ¥8.5092
97 对比
R6009JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

暂无价格 70 对比
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