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STD8N60DM2  与  IPD60R460CE  区别

型号 STD8N60DM2 IPD60R460CE
唯样编号 A-STD8N60DM2 A-IPD60R460CE
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 600 mOhm Surface Mount MDmesh™ DM2 Power Mosfet - DPAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 460mΩ
Moisture Level - 3
漏源极电压Vds - 600V
Rth - 1.7K/W
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.5V,3.5V
FET类型 - N-Channel
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 DPAK DPAK (TO-252)
Mounting - SMT
连续漏极电流Id - 9.1A
工作温度 - -40°C~150°C
Ptot max - 74.0W
QG - 28.0nC
Budgetary Price €€/1k - 0.47
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD8N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
R6009JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

¥13.0417 

阶梯数 价格
20: ¥13.0417
50: ¥8.5092
100: ¥7.9439
100 对比
R6009JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

¥13.0417 

阶梯数 价格
20: ¥13.0417
50: ¥8.5092
97 对比
R6009JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

暂无价格 70 对比
IPD60R460CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R460CEATMA1_460mΩ 600V 9.1A DPAK (TO-252) N-Channel -40°C~150°C 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比
SPD07N60C3ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD07N60C3_PG-TO252-3

暂无价格 0 对比

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