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STD7NM80  与  IPD65R950C6ATMA1  区别

型号 STD7NM80 IPD65R950C6ATMA1
唯样编号 A-STD7NM80 A-IPD65R950C6ATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 37W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 328pF @ 100V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 200uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15.3nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 950 毫欧 @ 1.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 4.5A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD7NM80 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
AOD950A70 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 700V 20V 5A 56.5W 950mΩ@10V

¥3.6735 

阶梯数 价格
1: ¥3.6735
100: ¥2.6471
1,000: ¥2.2785
2,500: ¥1.8
2,540 对比
IPD65R950C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R950C6ATMA1_±20V 37W(Tc) 950mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 4.5A

暂无价格 2,500 对比
DMJ70H1D3SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

暂无价格 0 对比
R6004ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

暂无价格 0 对比
IPD65R950C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R950C6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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