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STD7NM80  与  IPD65R950C6  区别

型号 STD7NM80 IPD65R950C6
唯样编号 A-STD7NM80 A-IPD65R950C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 950mΩ@1.5A,10V
漏源极电压Vds - 700V
Pd-功率耗散(Max) - 37W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 DPAK
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4.5A
系列 - CoolMOS™ C6
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 200µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 328pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15.3nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD7NM80 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
AOD950A70 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.6735 

阶梯数 价格
1: ¥3.6735
100: ¥2.6471
1,000: ¥2.2785
2,500: ¥1.8
2,540 对比
IPD65R950C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R950C6ATMA1_DPAK

暂无价格 2,500 对比
R6004ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥4.7338 

阶梯数 价格
40: ¥4.7338
50: ¥4.5038
100: ¥4.2738
500: ¥4.063
1,000: ¥3.8618
2,000: ¥3.5839
2,200 对比
R6004ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥4.7338 

阶梯数 价格
40: ¥4.7338
50: ¥4.5038
100: ¥4.2738
500: ¥4.063
1,000: ¥3.8618
1,699 对比
IPU50R1K4CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPU50R1K4CEAKMA1_6.73mm

暂无价格 0 对比

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