STD60NF55LT4 与 IRLR3705ZTRPBF 区别
| 型号 | STD60NF55LT4 | IRLR3705ZTRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STD60NF55LT4 | A-IRLR3705ZTRPBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 60A DPAK | Single N-Channel 55 V 12 mOhm 66 nC 130 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 130W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | - | 55V |
| 栅极电压Vgs | - | ±16V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3 | D-Pak |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 89A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 66nC @ 5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2900pF @ 25V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 8mΩ@42A,10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 66nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD60NF55LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
BUK7212-55B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 12mΩ@25A,10V 167W -55°C~185°C ±20V 55V 75A |
￥18.7846
|
2,299 | 对比 | ||||||||||
|
IRLR2905ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.5mΩ@36A,10V N-Channel 55V 60A D-Pak |
￥2.2002
|
30 | 对比 | ||||||||||
|
|
BUK9219-55A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 17.6mΩ@10V,19mΩ@5V,20mΩ@4.5V 114W 175°C 1.5V 55V 55A |
￥8.5718
|
0 | 对比 | ||||||||||
|
AUIRFR2405 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 56A 16mΩ 110W 车规 DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
|
BUK7210-55B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 10mΩ@10V 167W 185°C 3V 55V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
