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STD5NM60T4  与  TK6P65W,RQ  区别

型号 STD5NM60T4 TK6P65W,RQ
唯样编号 A-STD5NM60T4 A-TK6P65W,RQ
制造商 STMicroelectronics Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 5A DPAK MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 650 V
Pd-功率耗散(Max) - 60W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 1.05 欧姆 @ 2.9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 390 pF @ 300 V
Vgs(th) - 3.5V @ 180uA
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 11 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3 DPAK
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 5.8A(Ta)
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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暂无价格 0 对比

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