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STD5NK60ZT4  与  IPD65R1K4C6  区别

型号 STD5NK60ZT4 IPD65R1K4C6
唯样编号 A-STD5NK60ZT4 A-IPD65R1K4C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.26Ω
上升时间 - 5.9ns
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 28W
Qg-栅极电荷 - 10.5nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 33ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 -
连续漏极电流Id - 3.2A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC6
长度 - 6.5mm
下降时间 - 18.2ns
典型接通延迟时间 - 7.7ns
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD5NK60ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

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