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STD5N60DM2  与  R6004JND3TL1  区别

型号 STD5N60DM2 R6004JND3TL1
唯样编号 A-STD5N60DM2 A33-R6004JND3TL1
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 1.55 Ohm Surface Mount MDmesh™ DM2 Power Mosfet - DPAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 DPAK TO-252-3
连续漏极电流Id - 4A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1 Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.43Ω
配置 - Single
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 60W
Qg-栅极电荷 - 10.5 nC
栅极电压Vgs - 30V
库存与单价
库存 0 60
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥3.1047
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD5N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
R6004JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 600V 4A 1.43Ω 30V 60W -55°C~150°C

暂无价格 290 对比
R6004JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 600V 4A 1.43Ω 30V 60W -55°C~150°C

¥3.1047 

阶梯数 价格
50: ¥3.1047
60 对比
AOD1R4A70 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 700V 20V 3.8A 48W 1400mΩ@10V

暂无价格 50 对比
IPD65R1K4CFDATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
R6004JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 600V 4A 1.43Ω 30V 60W -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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