首页 > 商品目录 > > > > STD45N10F7代替型号比较

STD45N10F7  与  IPD35N10S3L26ATMA1  区别

型号 STD45N10F7 IPD35N10S3L26ATMA1
唯样编号 A-STD45N10F7 A-IPD35N10S3L26ATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 45A DPAK MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2700pF @ 25V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 39uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 24 毫欧 @ 35A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 35A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD45N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
AOD2910 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±20V 31A 53.5W 24mΩ@20A,10V -55℃~175℃

¥2.2 

阶梯数 价格
30: ¥2.2
100: ¥1.705
1,230 对比
AOD4126 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±25V 43A 100W 24mΩ@20A,10V -55℃~175℃

¥4.246 

阶梯数 价格
20: ¥4.246
100: ¥3.542
449 对比
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD35N10S3L-26_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRFR3710Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

18mΩ 100V DPAK (TO-252) N-Channel 20V 56A

暂无价格 0 对比
AOD4124 AOS 功率MOSFET

7.5A(Ta),54A(Tc) N-Channel ±25V 21 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 3.1W(Ta),150W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售