STD3NM60N 与 NDD04N60ZT4G 区别
| 型号 | STD3NM60N | NDD04N60ZT4G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STD3NM60N | A3t-NDD04N60ZT4G |
| 制造商 | STMicroelectronics | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK | N-Channel 600 V 1.8 Ohm 83 W Surface Mount Power MOSFET - TO-252-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 83W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3 | DPAK |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 4.1A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 640pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 29nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 2Ω@2A,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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