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STD3NK80ZT4  与  TK2P60D(TE16L1,NV)  区别

型号 STD3NK80ZT4 TK2P60D(TE16L1,NV)
唯样编号 A-STD3NK80ZT4 A-TK2P60D(TE16L1,NV)
制造商 STMicroelectronics Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 600 V
Pd-功率耗散(Max) - 60W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4.3 欧姆 @ 1A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 280 pF @ 25 V
Vgs(th) - 4.4V @ 1mA
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 7 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3 PW-MOLD
工作温度 - 150°C
连续漏极电流Id - 2A(Ta)
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD3NK80ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
TK2P60D(TE16L1,NV) Toshiba  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60W(Tc) PW-MOLD 150°C 600 V 2A(Ta)

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