STD20NF20 与 IRFR15N20DTRPBF 区别
| 型号 | STD20NF20 | IRFR15N20DTRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STD20NF20 | A-IRFR15N20DTRPBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 18A DPAK | N-Channel 200 V 140 W 27 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 165mΩ@10A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3W(Ta),140W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3 | D-PAK(TO-252AA) |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 17A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 910pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 41nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 910pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 41nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD20NF20 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
PSMN130-200D,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 150W 175°C 3V 200V 20A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFR15N20DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3W(Ta),140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 165mΩ@10A,10V N-Channel 200V 17A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
PSMN130-200D,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 150W 175°C 3V 200V 20A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFR15N20DTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3W(Ta),140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 165mΩ@10A,10V N-Channel 200V 17A D-PAK(TO-252AA) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRL530NSTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 100mΩ@9A,10V N-Channel 100V 17A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
