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STD17NF25  与  IRFR15N20DTRPBF  区别

型号 STD17NF25 IRFR15N20DTRPBF
唯样编号 A-STD17NF25 A-IRFR15N20DTRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 250V 17A DPAK N-Channel 200 V 140 W 27 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 165mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds - 200V
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta),140W(Tc)
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 D-PAK(TO-252AA)
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 17A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 910pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 910pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD17NF25 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IRFR15N20DTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3W(Ta),140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 165mΩ@10A,10V N-Channel 200V 17A D-PAK(TO-252AA)

暂无价格 2,000 对比
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暂无价格 0 对比
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