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STD16N65M5  与  FCD380N60E  区别

型号 STD16N65M5 FCD380N60E
唯样编号 A-STD16N65M5 A-FCD380N60E
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 12A DPAK N-Channel 600 V 380 mO Surface Mount SuperFET II Easy Drive Mosfet -TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 380m Ohms@5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 106W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 TO-252AA
连续漏极电流Id - 10.2A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - SuperFET® II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1770pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD16N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
FCD380N60E ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK TO-252AA

暂无价格 0 对比
IPD60R360P7 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPD60R360P7ATMA1_DPAK(TO-252)

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IPD60R380P6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R380P6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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TK12P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK

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IPD60R360P7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R360P7_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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