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STD16N60M2  与  TK12P60W,RVQ  区别

型号 STD16N60M2 TK12P60W,RVQ
唯样编号 A-STD16N60M2 A-TK12P60W,RVQ
制造商 STMicroelectronics Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 600 V
Pd-功率耗散(Max) - 100W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 340 毫欧 @ 5.8A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 890 pF @ 300 V
Vgs(th) - 3.7V @ 600uA
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 25 nC @ 10 V
封装/外壳 DPAK DPAK
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11.5A(Ta)
FET功能 - 超级结
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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