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STD16N60M2  与  IPD65R380E6ATMA1  区别

型号 STD16N60M2 IPD65R380E6ATMA1
唯样编号 A-STD16N60M2 A-IPD65R380E6ATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 83W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 710pF @ 100V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 320uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 380 毫欧 @ 3.2A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 10.6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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