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STD13NM60N  与  IPD60R380C6ATMA1  区别

型号 STD13NM60N IPD60R380C6ATMA1
唯样编号 A-STD13NM60N A32-IPD60R380C6ATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 83W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 360mΩ@5.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 90W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 700pF @ 100V
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 320uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 10V
系列 MDmesh™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 790pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 380 毫欧 @ 3.8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 10.6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 0 20
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥11.3293
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