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STD13N60M2  与  IPD60R450E6BTMA1  区别

型号 STD13N60M2 IPD60R450E6BTMA1
唯样编号 A-STD13N60M2 A-IPD60R450E6BTMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 11A DPAK MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 74W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 620pF @ 100V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 280uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 28nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 450 毫欧 @ 3.4A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9.2A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD60R380C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R380C6ATMA1_6.5mm

¥8.6527 

阶梯数 价格
1: ¥8.6527
25: ¥8.0116
100: ¥7.4182
579 对比
AOD11S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥8.052 

阶梯数 价格
7: ¥8.052
57 对比
STD5NM50T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD60R450E6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
STD5NM50T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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