STD11N60DM2 与 SIHD14N60E-GE3 区别
| 型号 | STD11N60DM2 | SIHD14N60E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STD11N60DM2 | A-SIHD14N60E-GE3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 10A DPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252 |
| 连续漏极电流Id | - | 13A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 309 mOhms @ 7A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 147W(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD11N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SIHD14N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
13A(Tc) N-Channel 309 mOhms @ 7A,10V 147W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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