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STD10P6F6  与  SUD08P06-155L-GE3  区别

型号 STD10P6F6 SUD08P06-155L-GE3
唯样编号 A-STD10P6F6 A3t-SUD08P06-155L-GE3
制造商 STMicroelectronics Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P CH 60V 10A DPAK Single P-Channel 60 V 155 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3 TO-252
连续漏极电流Id - 8.4A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 155 mOhms @ 5A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 1.7W(Ta),20.8W(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 3V @ 250uA
FET类型 - P-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD10P6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IRFR9024NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR9024NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 38W(Tc) 175mΩ@6.6A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 55V 11A D-Pak

暂无价格 0 对比
NTD2955T4G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta)

暂无价格 0 对比
SUD08P06-155L-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.4A(Tc) P-Channel 155 mOhms @ 5A,10V 1.7W(Ta),20.8W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V

暂无价格 30 对比
SUD08P06-155L-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.4A(Tc) P-Channel 155 mOhms @ 5A,10V 1.7W(Ta),20.8W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V

暂无价格 0 对比

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