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STD10N60DM2  与  R6009JND3TL1  区别

型号 STD10N60DM2 R6009JND3TL1
唯样编号 A-STD10N60DM2 A3-R6009JND3TL1
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3
连续漏极电流Id - 9A(Tc)
工作温度 - -55℃~150℃(TJ)
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 125W(Tc)
Vgs(最大值) - ±30V
栅极电荷Qg - 22nC@15V
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 585mOhms@4.5A,15V
栅极电压Vgs - 7V@1.38mA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 70
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD10N60DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
R6009JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥14.3545 

阶梯数 价格
20: ¥14.3545
50: ¥9.4675
100: ¥8.9883
100 对比
R6009JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥14.3545 

阶梯数 价格
20: ¥14.3545
50: ¥9.4675
97 对比
R6009JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 70 对比
TK8P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
TK9P65W,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比

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