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STD10N60DM2  与  IPD60R650CEBTMA1  区别

型号 STD10N60DM2 IPD60R650CEBTMA1
唯样编号 A-STD10N60DM2 A-IPD60R650CEBTMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 8A DPAK MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 82W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF @ 100V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 200uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20.5nC @ 10V
工作温度 - -40°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 650 毫欧 @ 2.4A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 7A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD10N60DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
R6009JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

¥13.0417 

阶梯数 价格
20: ¥13.0417
50: ¥8.5092
100: ¥7.9439
100 对比
R6009JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

¥13.0417 

阶梯数 价格
20: ¥13.0417
50: ¥8.5092
97 对比
R6009JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

暂无价格 70 对比
TK8P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 80W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 8A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPD60R650CEBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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