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STD10LN80K5  与  R6006KND3TL1  区别

型号 STD10LN80K5 R6006KND3TL1
唯样编号 A-STD10LN80K5 A33-R6006KND3TL1
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3
连续漏极电流Id - 6A(Tc)
工作温度 - 150℃(TJ)
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 70W(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
栅极电荷Qg - 12nC@10V
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 830mOhms@3A,10V
栅极电压Vgs - 5.5V@1mA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 2,392
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥10.6078
50+ :  ¥6.0753
100+ :  ¥5.5099
500+ :  ¥5.1266
1,000+ :  ¥5.05
2,000+ :  ¥5.0021
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD10LN80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
R6006KND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

6A(Tc) N-Channel 5.5V@1mA 70W(Tc) TO-252-3 150℃(TJ) 600V

¥10.6078 

阶梯数 价格
20: ¥10.6078
50: ¥6.0753
100: ¥5.5099
500: ¥5.1266
1,000: ¥5.05
2,000: ¥5.0021
2,392 对比
R6006KND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

6A(Tc) N-Channel 5.5V@1mA 70W(Tc) TO-252-3 150℃(TJ) 600V

暂无价格 10 对比
IPD65R650CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R650CE_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD60R800CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R800CE_N-Channel 600V 8.4A PG-TO252-3

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IPD80R750P7_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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