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STD10LN80K5  与  IPD65R650CEAUMA1  区别

型号 STD10LN80K5 IPD65R650CEAUMA1
唯样编号 A-STD10LN80K5 A-IPD65R650CEAUMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 86W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF @ 100V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 210uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 10V
工作温度 - -40°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 650 毫欧 @ 2.1A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 7A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD10LN80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
R6006KND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

6A(Tc) N-Channel 5.5V@1mA 70W(Tc) TO-252-3 150℃(TJ) 600V

¥10.6078 

阶梯数 价格
20: ¥10.6078
50: ¥6.0753
100: ¥5.5099
500: ¥5.1266
1,000: ¥5.05
2,000: ¥5.0021
2,392 对比
R6006KND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

6A(Tc) N-Channel 5.5V@1mA 70W(Tc) TO-252-3 150℃(TJ) 600V

暂无价格 10 对比
IPD65R650CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R650CE_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD60R800CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R800CE_N-Channel 600V 8.4A PG-TO252-3

暂无价格 0 对比
IPD80R750P7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R750P7_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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